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MOCVD专利动态简报—综合态势分析

来源:LED产学研促进网发布:司徒春运点击:
广东半导体照明工程省部产学研创新联盟携手广东省生产力促进中心、佛山市中山大学研究院、中山市生产力促进中心和中山市LED协会推出了LED专利分析报告。

以下是内容结构摘要:

一、MOCVD市场现状和前景分析
    金属有机化学气相沉积(MOCVD)是利用金属有机化合物进行金属输运的一种气相外延生长技术,载气把金属有机化合物和其它气源携带到反应室中加热的衬底上方,随着温度的升高在气相和气固界面发生一系列化学和物理变化,最终在衬底表面上生成外延层。MOCVD的优点在于可以选择多种金属有机化合物作为源材料,因而具有生长多种化合物半导体的灵活性。它不仅能够制备高纯材料,还能对生长的极薄层材料的厚度、组分和界面进行精确控制;可以进行选择生长;可以生长大面积、均匀性的半导体薄膜,非常适合工业生产。

    MOCVD技术自二十世纪六十年代首先提出以来,经过七十至八十年代的发展,九十年代已经成为砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)等光电子材料外延片制备的核心生长技术。目前已经在GaAs、InP等光电子材料生产中得到广泛应用。接着日本科学家中村修二将他自己研制的MOCVD设备应用在氮化镓(GaN)材料的制备上,于1994年首先研制出GaN高亮度蓝光和绿光发光二极管(LED),此后全球就掀起了高亮GaN基LED的研究及产业化热潮。
 

二、MOCVD专利申请及授权总体定量分析
(一)专利申请总量分析

(二)专利申请年度发展趋势分析

(三)专利申请及授权国分布情况分析
 
(四)主要专利申请国家年度发展趋势分析

(五)专利申请人(公司)分布情况分析

(六)主要专利申请人(公司)专利申请年度发展趋势分析

(七)中国MOCVD专利申请概况

 

三、MOCVD重要专利技术定性分析
(一)引用及施引分析

(二)同族专利分析

 

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