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突破技术,推动发展(案例两则·上)

来源:未知发布:司徒春运点击:
案例一(上游衬底材料) 1.东莞市中镓半导体科技有限公司-上游衬底材料 项目名称:第三代半导体氮化镓(GaN)基衬底材料产业化 参与单位: 企业:东莞市中镓半导体科技有限公司 高校:北京大学 专利情况: 1.GaN外延层的大面积、低功率激光剥离技术--ZL200410009840.0 2.

 

  案例一(上游衬底材料)

  1.东莞市中镓半导体科技有限公司-上游衬底材料

  项目名称:第三代半导体氮化镓(GaN)基衬底材料产业化

  参与单位:

  企业:东莞市中镓半导体科技有限公司

  高校:北京大学

  专利情况:

  1.GaN外延层的大面积、低功率激光剥离技术--ZL200410009840.0

  2.一种制备GaN单晶衬底的方法--ZL200610144316.3

  3.利用固体激光器无损剥离GaN与蓝宝石衬底的方法(已申请PCT国际专利)--200810225953.2PCT/CN2009/000424

  4.在异质基底上制备高质量GaN单晶厚膜的方法--ZL200610167605.5

  5.固体激光剥离设备和剥离方法--2009101364574

  6.固体激光剥离和切割一体化设备--2009101364589

  预期经济效益:至2011年应达到10亿元人民币的年产值

  突破关键技术:MOCVD技术、激光剥离技术和HVPE技术相结合,开发、生产第三代半导体衬底材料

  项目简介:本项目以北京大学宽禁带半导体研究中心为技术依托,创造性地将MOCVD技术、激光剥离技术和HVPE技术相结合,开发、生产第三代半导体衬底材料及装备等,本项目是国内首个国内半导体LED照明的上游GaN基衬底材料的产业化,使GaN基半导体器件的生产从异质外延进入同质外延时代。

图1 氮化镓蓝宝石(GaN/Al2O3)复合衬底显著地提高LED器件发光亮度

图2:全球首台纯固体微区激光剥离设备

展品3 :
1)自支撑氮化镓(GaN)衬底;
2)氮化镓蓝宝石(GaN/Al2O3)复合衬底;
3)图形化蓝宝石衬底(PSS)
4)外延片
尺寸:均为2英寸,很小;
图样:

 

  案例二(上游芯片)

  2.中昊光电科技有限公司-上游芯片

  项目名称:第三代透明导电薄膜ZnO 制备技术的研发

  参与单位:

  企业:中昊光电科技有限公司

  高校:中山大学

  专利情况:

  现有专利:一种半导体发光器件及其制造方法--200710030261.82009.09.23

  正在申请:

  一种垂直结构发光二极管芯片及其制备方法

  一种制造高亮度发光二极管的芯片结构及其工艺方法

  一种提高GaN LED外量子效率的透明导电薄膜的制造方法

  一种以ZnO为缓冲层的GaNLED的制造方法

  一种制造氧化锌透明导电薄膜的设备

  一种无损伤剥离衬底制备垂直结构LED。

  还有其他相关专利正在申请当中共计三十余项;

  经济效益:至2011年应达到3亿元人民币的年产值

  突破关键技术:开发出国际首例ZNO用于替代ITO透明导电膜的外延生长技术,并成功运用于LED芯片器件中,使光效比传统LED芯片提升50%以上。

  项目简介:开发出国际首例ZNO用于替代ITO透明导电膜的生长技术,并成功运用于LED芯片器件中,使光效比传统LED芯片提升50%以上。独有专利技术,将成为继日本、台湾后的第三代芯片核心产品。

图1


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